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Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达

发布日期:2020-09-26 01:06   来源:未知   阅读:

VISHAY简介

宾夕法尼亚、MALVERN?2020年9月23日?日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新型200Vn沟道MOSFET---SiSS94DN,器件采用热增强型3.3mmx3.3mmPowerPAK?1212-8S封装,10V条件下典型导通电阻达到业内最低的61mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为854mΩ*nC。节省空间的VishaySiliconixSiSS94DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mmx5mm封装相似导通电阻的器件减小65%。

Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,香港红姐图库大全图片,Vishay承载着科技基因??TheDNAoftech?。VishayIntertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000强企业”。

日前发布的TrenchFET?第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20%,FOM比上一代解决方案低17%。这些指标降低了导通和开关损耗,从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗,但体积大的MOSFET,节省PCB空间,或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

器件经过100%RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

TrenchFET?器件典型RDS(ON)为61mΩ,优值系数为854mΩ*nC,封装面积10.89mm?。

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流,包括通信设备、计算机外设、消费电子;笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光;以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。

SiSS94DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

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